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La tecnología de las
memorias tipo MRAM
(Magnetoresistive Random-Access Memory, o RAM magnetorresistiva) acaba de
recibir un importante avance, gracias al trabajo de un grupo de investigadores
e ingenieros de la Escuela de Ingeniería y Ciencias Aplicadas de la Universidad
de California (UCLA). Se trata de la memoria
MeRAM (Magnetoelectric Random-access Memory, RAM magnetoeléctrica), la cual
tiene una eficiencia energética hasta 1.000 veces mayor que la de memorias utilizadas
actualmente. Ampliar información en Noticias de la Ciencia. |






